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曝 iPhone 设计主管明年 2 月离职，将联手 OpenAI 开发一款新 AI 硬件？

作者：CSDN发布时间：2024-01-10
OpenAI苹果

与苹果的合约到期后，LoveFrom继续与爱彼迎（Airbnb）和法拉利（Ferrari）等客户展开合作，同时还从苹果带走了多名产品设计师：自2019年LoveFrom创办以来，JonyIve以前领导的苹果设…...【查看原文】

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曝iPhone设计主管明年2月离职，将联手OpenAI开发一款新AI硬件？

据传，孙正义也参与了这个项目的投资。

OpenAI融资

CSDN 2023-12-29

传iPhone设计主管要转投艾维麾下，与OpenAI合作开发硬件

12月27日消息，据知情人士透露，负责iPhone设计的苹果产品设计副总裁TangTan将于明年2月份离职，到苹果前首席设计师乔尼·艾维（JonyIve）麾下从事人工智能项目。

OpenAI苹果人工智能

砍柴网 2023-12-27

iPhone 设计负责人或联手 OpenAI 开发硬件/淘宝京东将支持仅退款/麦当劳中国部分产品涨价

搭载8295计算平台，极氪007首次加入了极氪车载人工智能KRGPT；35.5英寸AR-HUD和15英寸OLED向日葵中控屏观感优秀。

OpenAI人工智能

爱范儿 2023-12-28

前苹果设计主管可能会与OpenAI的CEO共同开发AI硬件设备

根据The Information最新消息，前苹果设计主管Jony Ive和OpenAI首席执行官Sam Altman正在讨论开发一种新的人工智能硬件设备。据透露，Jony Ive和Sam Altman与软银集团首席执行官和投资者孙正义进行了讨论，不过目前尚不清楚Ive是否会继续参与其中，因为这位前苹果设计师目前正在经营着自己的英国设计公司LoveFrom。该报告没有透露有关这种设备可能是什么的信息，但是据称Ive和Altman是朋友，并一直在讨论“智能时代新硬件可能的形态”。Altman是消费

苹果OpenAI阿尔特曼人工智能融资

爱思瑞网 2023-09-27

苹果前员工联手 ChatGPT 之父发布新品！要做一款没有屏幕的 iPhone

这款未正式发布就被《时代》选为「2023年度发明」的产品，来自于前苹果员工「浓度」甚高的创业公司Humane。

苹果ChatGPT

AppSo 2023-11-11

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宁波石墨烯创新中心申请蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法专利，提高功率器件的耐压

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN118919558A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

华羿微电子申请抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电终端设计结构专利，有效提升分立器件正向耐压特性和可靠性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“抑制中压SGTMOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用”的专利，公开号CN118919555A，申请日期为2024年10月。

金融界 2024-11-11

青岛北方星火机床取得火车轮对综合制动性能实验平台专利，降低检测设备成本

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，青岛北方星火机床有限公司取得一项名为“一种火车轮对综合制动性能实验平台”的专利，授权公告号CN221976472U，申请日期为2024年3月。

金融界 2024-11-11

杭州谱析光晶半导体科技申请一种具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件专利，增加电场缓冲高效性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件”的专利，公开号CN118919570A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

创飞芯源申请沟槽型 MOSFET 器件及制备方法等专利，能够降低沟槽型 MOSFET 的外延区电阻

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法”的专利，公开号CN118919559A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

格兰菲申请半导体器件及其制备方法、电子设备专利，避免功率器件生产良率降低

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN118919560A，申请日期为2024年8月。

金融界 2024-11-11

福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利，改善半导体器件的操作表现

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN118919563A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。

金融界 2024-11-11

昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，江苏昕感科技有限责任公司申请一项名为“一种终端复合结构及高压SIC器件”的专利，公开号CN118919554A，申请日期为2024年8月。

金融界 2024-11-11

杭州谱析光晶申请能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFET 结构专利，提高 MOS 半导体导通后的稳定性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的SiCVDMOSFET结构”的专利，公开号CN118919564A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

厦门士兰明镓申请种 VDMOS 器件及其制备方法专利，实现器件功能优化

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请一项名为“种VDMOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN118919565A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

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