江苏第三代半导体研究院取得复合衬底及 LED 外延片专利，提高外延片的发光亮度

金融界 2024 年 10 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“种复合衬底及 LED 外延片”的专利，授权公告号 CN 221841861 U，申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种复合衬底及 LED 外延片，属于半导体技术领域。该复合衬底包括：衬底和复合缓冲层；复合缓冲层包括层叠设置的第一复合缓冲子层、第二复合缓冲子层和图形结构层；图形结构层包括阵列设置的多个第一图形结构、分别覆盖每个第一图形结构的多个第二图形结构和设置在相邻第二图形结构之间的第三图形结构；第一图形结构的折射率大于第二图形结构的折射率。本申请通过第一复合缓冲子层和第二复合缓冲子层屏蔽衬底表面的缺陷电荷，提高外延片的漏电性能，并且通过设置图形结构层加强缓冲层的侧向外延，提高外延层的晶体质量，降低位错向发光层延伸，从而提高外延片的发光亮度，改善外延片的漏电性能。

来源：金融界