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MOS和BJT高频性能对比

作者:cyuanfeng发布时间:2024-09-26

1.High frequency model 1.1BJT πodel 推导 [图片] [图片] [图片] [图片] [图片] 1.2 MOS [图片] [图片] 2.Comparison and improvment method 2.1gm/id 效率 [图片] 相同偏置电流(Ids=Ice),bjt的gm要比mos大。 2.2 improvment method 2.2.1 bjt [图片] 增大功耗,即Ice。大电流时电子将以饱和速度Vsat运动(10^(-7)cm/s),穿越宽度0.2um的基区...【查看原文】


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