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理想晶延取得一种真空腔内旋转台专利,密封效果显著

作者:金融界发布时间:2024-10-19

金融界2024年10月19日消息,国家知识产权局信息显示,理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司取得一项名为“一种真空腔内旋转台”的专利,授权公告号CN 221822325 U,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本实用新型涉及薄膜沉积领域,提供一种真空腔内旋转台,用于半导体薄膜沉积设备内的物料旋转,包括载台、中空旋转平台以及磁流体传动轴,载台设置于半导体薄膜沉积设备的真空腔内,载台上适于放置物料;中空旋转平台设置于半导体薄膜沉积设备的真空腔外侧;磁流体传动轴连接载台和中空旋转平台的输出端并贯穿半导体薄膜沉积设备的侧壁,使得中空旋转平台能够驱动载台转动。本实用新型的一种真空腔内旋转台,中空旋转平台设置于半导体薄膜沉积设备的外侧,磁流体传动轴连接载台和中空旋转平台,密封效果显著,便于维修,成本低,能够适应大负载场景,提高抗偏载能力。

来源:金融界


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