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旭矽半导体取得 SGT-MOSFET 半导体器件的制备方法专利

作者:金融界发布时间:2024-10-19

金融界 2024 年 10 月 19 日消息,国家知识产权局信息显示,旭矽半导体(上海)有限公司取得一项名为“SGT-MOSFET 半导体器件的制备方法”的专利,授权公告号 CN 114520147 B,申请日期为 2020 年 11 月。

来源:金融界


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