奥趋光电取得氮化铝 Wafer 批量式热掺杂装置专利，实现多片多种尺寸晶片均匀有效热掺杂

金融界 2024 年 10 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，奥趋光电技术（杭州）有限公司取得一项名为“种氮化铝 Wafer 的批量式热掺杂装置”的专利，授权公告号 CN 221822396 U，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种氮化铝 Wafer 批量式热掺杂装置，该装置包括掺杂容器、容器盖、旋转支架、Wafer 载盘。掺杂容器用于装载掺杂剂；Wafer 载盘由上载盘和下载盘构成，用于夹持数片氮化铝 Wafer 并置于旋转支架上；旋转支架通过旋转臂穿过掺杂容器侧壁链接外部的伺服电机进行旋转，带动 Wafer 载盘进行旋转。上下载盘采用开孔设计，Wafer 通过 Wafer 载盘上的大通孔暴露 Wafer 的正反面于掺杂气氛中；同时载盘上的小通孔设计便于物质流通；容器盖为半密封，利于形成稳定的掺杂物质传输。掺杂装置置于高温炉中进行加热掺杂，旋转支架与 Wafer 载盘旋转，完成 Wafer 正背面热掺杂。本实用新型的热掺杂装置，可以同时进行多片 Wafer、多种尺寸的 Wafer 同时实现均匀的有效热掺杂。

来源：金融界