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理想晶延取得一种薄膜沉积设备的补源系统专利,解决工艺期间补液时温度和压力波动大的问题

作者:金融界发布时间:2024-09-19

金融界 2024 年 9 月 18 日消息,天眼查知识产权信息显示,理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司取得一项名为“一种薄膜沉积设备的补源系统“,授权公告号 CN202420254749.8,申请日期为 2024 年 2 月。

专利摘要显示,本实用新型属于薄膜沉积领域,公开了一种薄膜沉积设备的补源系统,包括源罐、补源罐、管路加热装置、管路测温装置、源罐温度传感器、源罐压力传感器、补液阀和控制器;补源罐与源罐管路连接;管路加热装置和管路测温装置分别设置于补源罐与源罐连接的管路上,对管路内的补充源液加热和测温;源罐温度传感器和源罐压力传感器分别设置于源罐,测量源罐内温度和压力;补液阀设置于补源罐与源罐连接的管路上;控制器与管路加热装置、管路测温装置、源罐温度传感器、源罐压力传感器和补液阀通信连接。本实用新型通过设置管路加热装置、源罐温度传感器、源罐压力传感器和补液阀,解决工艺期间补液时温度和压力波动大的问题,使工艺期间能实现自动补源。

来源:金融界


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