韩企推进存储半导体技术升级

韩国半导体龙头企业三星电子和SK海力士近期针对第六代10纳米级动态随机存取存储器进行技术升级。 SK海力士于8月底宣布开发出业界首款第六代10纳米级DRAM芯片。该芯片运行速度为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，将主要用于高性能数据中心。SK海力士表示，该芯片比前一代的能效提高了9%以上，在当前人工智能蓬勃发展的时期，可帮助数据中心减少多达30%的电力成本。三星电子正在考虑在10纳米级第六代DRAM的40—50层堆叠中，将干式光刻胶技术用于某一层电路的制造。此外，这项技术也将用于超微细电路的极紫外光光刻胶。如果三星电子成功将干式光刻胶技术用于量产，将对现有光刻材料与设备生态系统产生重大影响。

来源：金融界AI电报