三星电子宣布量产1Tb QLC V-NAND存储芯片

9月15日消息，近日，三星电子宣布已开始量产其最新的NAND芯片——1Tb（太比特）四层单元（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。

三星官网

继今年4月首次量产9th-Gen TLC V-NAND之后，三星再次引领行业，推出更高存储密度的QLC解决方案。这项新技术允许每个存储单元存储4位数据，从而在物理芯片上实现更高的存储密度。

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三星电子的QLC 9th-Gen V-NAND采用了多项创新技术，包括行业领先的通道孔蚀刻技术，该技术通过双堆栈结构实现了业界最高的层数。此外，通过优化存储单元面积和外围电路，与上一代QLC V-NAND相比，位密度提高了约86%。这些技术进步不仅提升了写入速度，还分别将读取和写入功耗降低了30%和50%。

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三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“随着企业级SSD市场的快速增长，以及对AI应用需求的不断增加，我们通过QLC和TLC 9th-Gen V-NAND的推出，将继续巩固我们在高性能固态硬盘市场的领导地位。”

三星计划将QLC 9th-Gen V-NAND的应用范围从消费级产品扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的广泛客户需求。