辽宁博芯科申请应用于光电半导体硅片的退火温度控制专利，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，辽宁博芯科半导体材料有限公司申请一项名为“应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法”的专利，公开号 CN 119179354 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。所述方法包括：对所述光电半导体硅片在退火过程中的温度数据进行预处理，获取温度预处理数据集；根据所述温度预处理数据集，获取温度隶属度函数；根据所述温度隶属度函数，对所述光电半导体硅片的退火温度进行模糊控制。本申请利用模糊PID控制算法能够克服调节信号非线性波动的问题，提高光电半导体硅片退火温度控制的精确度和实时性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
来源：金融界
