苏州元脑智能科技申请非易失闪存保护专利，提高了对 FLASH 数据的读写效率
金融界 2024 年 9 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“非易失闪存保护方法、装置、电子设备及存储介质”的专利，公开号 CN 118689392 A，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本发明提供一种非易失闪存保护方法、装置、系统、服务器及介质，涉及计算机技术领域，通过识别非易失闪存中的频繁读写分区，设备启动时将所述频繁读写分区映射到内存中，以使对所述频繁读写分区的读写操作转为对内存的读写操作；响应于同步触发事件，将所述内存中数据同步到所述非易失闪存中，由于直接去读写内存比直接读写 FLASH 效率高，因此提高了对 FLASH 数据的读写效率，并且，只有在同步触发事件发生时，才进行 FLASH 的写操作，降低了 FLASH 的擦写频率，延长了 Flash 的使用寿命。
来源：金融界
