浮思特 | 如何在现有硅片厂内集成 SiC 制造?

功率半导体器件领域知名专家 Victor Veliadis 在网络研讨会上，对在现有硅片厂内集成碳化硅制造进行了全面的分析，探讨了这种集成的技术、经济和实际因素，并强调了半导体行业的困难、解决方案和更广泛的影响。这一分析强调了 SiC 带来变革的强大能力及其在塑造电力电子未来方面的关键意义。 SiC的战略重要性 硅碳化物和氮化镓在功率电子领域的重要性日益增强。基于SiC的功率器件相较于传统硅器件具有多种优势，尤其是在超高压功率电子领域。 SiC拥有几种关键特性，包括： 更高的临界电场强度：SiC能够承受的...【查看原文】