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AP2313GN-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:VBsemi微碧半导体发布时间:2024-09-27

**详细参数说明:** - **型号:** AP2313GN-VB - **品牌:** VBsemi - **封装:** SOT23 - **沟道类型:** P—Channel - **最大漏极-源极电压:** -20V - **最大漏极电流:** -4A - **漏极电阻:** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V - **阈值电压:** Vth = -0.81V [图片] **应用简介:** AP2313GN-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,...【查看原文】


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