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AP2306AGEN-HF-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:VBsemi微碧半导体发布时间:2024-09-20

AP2306AGEN-HF-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi **详细参数说明:** - 封装类型:SOT23 - 沟道类型:N—Channel - 最大漏极电压:30V - 最大漏极电流:6.5A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 门极阈值电压 (Vth):1.2~2.2V [图片] **应用简介:** AP2306AGEN-HF-VB 是一款采用 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应晶体管(FET)。其设计注重...【查看原文】


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