台积电申请集成芯片和用于形成集成芯片的方法专利，提高集成芯片的性能

金融界 2024 年 9 月 4 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成芯片和用于形成集成芯片的方法“，公开号 CN202410583914.9，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，本公开的各个实施例针对包括衬底上方的底部电极的集成芯片。顶部电极位于底部电极上面。覆盖结构设置在顶部电极和底部电极之间。覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层。切换结构设置在底部电极和覆盖结构之间。切换结构包括底部电极上的介电层以及介电层上的第一氧亲和层。第一氧亲和层的第一吉布斯自由能小于介电层的第二吉布斯自由能。第一吉布斯自由能和第二吉布斯自由能之间的第一差小于‑100kJ/mol。本申请的实施例还涉及用于形成集成芯片的方法。

来源：金融界