长文多图详解：通过 SPICE 仿真中的寄生电感效应预测 VDS 开关尖峰

简介  电源行业一直致力于为数据中心和5G等应用中的电源设备带来更高的电源转换效率和功率密度。与具有单独驱动器 IC 的传统分立 MOSFET 相比，将驱动器电路和功率 MOSFET（即DrMOS）集成到 IC 中可以实现更高的功率密度和效率。而且，DrMOS 的倒装芯片技术通过缩短响应时间并减小芯片与封装之间的电感，能够进一步优化稳压器的性能（见图 1）。 [图片] 图 1：传统引线键合技术与倒装芯片技术 然而，由于寄生电感与 MOSFET 输出电容(COSS)之间的谐振特性，基板和 PCB 上的寄生电...【查看原文】