云南鑫耀半导体申请一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法专利，总厚度偏差在加工后保证在 5um 内
金融界 2024 年 9 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司申请一项名为“一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法”的专利，公开号 CN 118682573 A，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术，尤其涉及一种改善砷化镓单晶片总厚度偏差的方法，通过将 PE 膜从圆心处裁掉固定尺寸的圆形缺口，并将剩余圆环形膜层平整粘贴于抛光机 Plate 上，然后将晶片放置于洒有还原剂的吸附垫上，吸附垫粘贴在陶瓷盘上，所述晶片在陶瓷盘上沿圆周等距布置，晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘圆心，然后将陶瓷盘置于抛光机 Plate 上，启动抛光机进行加工；调转晶片放置于再次放置于吸附垫上，所述晶片的主定位边沿陶瓷盘半径指向陶瓷盘边缘，再次启动抛光机进行加工。本发明实现了砷化镓单晶片的总厚度偏差在加工后保证在 5um 内，获得的单晶片的厚度一致性好、平整度高，解决了厚度偏差过大引起的外延缺陷，满足晶片外延的表面需求。
来源：金融界
