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AP2315N-VB一种P—Channel沟道SOT23封装MOS管

作者:微碧半导体发布时间:2024-09-29

型号: AP2315N-VB 品牌: VBsemi 封装: SOT23 **详细参数说明:** - 极性: P—Channel - 最大漏电压(Vds): -30V - 最大漏电流(Id): -5.6A - 开启态漏电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 阈值电压(Vth): -1V [图片] **应用简介:** AP2315N-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装。该器件在负30V的最大漏电压条件下,具有负5.6A的最大漏电流能力,并在...【查看原文】


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