浮思特 | 硅碳化物(SiC)技术的进化：平面与沟槽结构的对比与应用

硅碳化物(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体。SiC可以通过氮或磷进行n型掺杂，或通过铍、硼、铝或镓进行p型掺杂。SiC被称为宽带隙材料，广泛应用于半导体行业，能够在高温和高电压下工作。SiC的带隙大于2.2 eV。 SiC通过切割单晶制成晶圆，通常使用金刚石线锯或激光切割。在电源电子应用中，与传统硅相比，SiC具有多种优势，具体如下： ·热导率高出3倍(SiC：4.9 W/cm·K，对比Si：1.5 W/cm·K) ·击穿场强高出10倍(SiC：2.2 MV/cm，对比Si：0.3...【查看原文】