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意法半导体发布第四代STPower硅碳化物MOSFET技术!

作者:浮思特科技发布时间:2024-10-29

意法半导体(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技术,标志着在高效能和高功率密度领域的又一重大进展。新一代MOSFET不仅在电动汽车中具有广泛应用潜力,也适用于各类高压和高功率密度的工业应用。 新发布的MOSFET特别针对电动汽车的牵引逆变器,这是电动汽车动力系统中不可或缺的部分,负责将电池组中的直流电转换为三相交流电,以驱动电动机。这项技术的革新将为电动汽车的续航能力、充电速度和整体性能带来显著提升。 [图片] 新一代SiC MOSFET将...【查看原文】


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