浮思特 | 如何通过霍尔效应测量半导体中电子和空穴的迁移率?
在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。 电荷载流子迁移率 在本篇文章中，我们将采用在早期期刊中探讨的德鲁德-洛伦兹框架。我们回顾一下，这一模型完全基于经典力学。唯一的“外部”成分是电子的有效质量m∗;这是一种数学手段，使我们能够将电子视为不受力的经典粒子。通过这种方式，我们避免了量子复杂性，因为我们需要考虑晶格离子施加的周期性势能。极端总结如下场景：一个电子与一个离子发生非弹性碰撞，失去...【查看原文】
