AP4963M-VB一种2个P—Channel沟道SOP8封装MOS管

**AP4963M-VB** - **品牌:** VBsemi - **参数:**  - 2个P-Channel沟道  - 最大耐压：-30V  - 最大漏极电流：-7A  - 导通电阻：RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V，VGS=20V  - 门源极电压阈值：Vth=-1.5V - **封装:** SOP8 [图片] **详细参数说明:** AP4963M-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管，具有双通道设计，最大耐压为-30V，适用于要求较低导通电阻和高电流承受能力的应用。其导通电阻在1...【查看原文】