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三星2nm工艺放慢脚步 再次推迟量产时间

作者:中关村在线发布时间:2024-09-12

2024-09-12 15:40:52作者:姚立伟

三星的2纳米工艺技术近期面临良率问题,导致量产时间一再推迟。根据报道,原本计划于2024年底前量产的2纳米芯片,现已推迟至2026年。为了解决这一问题,三星决定从美国得州泰勒工厂撤出人员,并保留最低限度的员工。

泰勒工厂最初被设计为4纳米及以下先进工艺的量产中心。然而,由于2纳米芯片的良率持续低于50%,特别是与竞争对手台积电60%~70%的良率相比,三星在这一领域的生产能力备受质疑。业内人士认为,三星采用的全环绕栅极(GAA)工艺良率仅在10%-20%之间,这使得其无法满足客户订单要求并实现量产。

为了改进工艺和良率,三星董事长李在镕近期亲自拜访了ASML和蔡司等主要设备供应商,并寻求解决方案。然而,目前尚未取得显著成果。一位半导体教授指出,可能造成三星晶圆代工竞争力下降的原因包括内部官僚主义、决策缓慢以及薪酬问题。

此外,一位人士表示,在投资时机上出现延迟反映了管理层对当前市场现实的认识不足。与20-30年前相比,这种情况也说明了市场竞争环境的变化。


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