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一、研究背景 半导体的可控掺杂是现代电子工业的基石，带来了二极管、晶体管、太阳能电池、光电探测器、发光二极管（led）和半导体激光器等众多革命性的发明。在这些电子器件中，不同导电类型半导体之间的界面是核心，它们控制着逻辑操作和能量转换过程。对于Si和GaN等传统半导体，通过在晶格中掺杂受电子元素（如硼）和供电子元素（如磷），可分别实现正（p）型和负（n）型导电性。控制III-V半导体的导电性也可以通过类似的方法实现。在有机物和纳米晶体（包括量子点）等低维半导体中，实现可控的电子掺杂更具挑战性，通常通过分子...【查看原文】