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江西兆驰半导体申请高光效倒装LED芯片及其制备方法专利,实现倒装LED芯片的光效提升

作者:金融界发布时间:2024-11-11

金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种高光效倒装LED芯片及其制备方法”的专利,公开号CN 118919613 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法,制备方法包括以下步骤:提供一衬底,在衬底上形成外延层;在P型半导体层上形成透明导电层,蚀刻形成N型半导体台面和P型半导体台面;在N型半导体台面、P型半导体台面及台面侧壁上形成介质层;对P型半导体台面上的介质层开设周期性导电通孔,暴露透明导电层,在周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层对N型半导体台面上的介质层开设通孔,暴露N型半导体台面;在金属反射层和介质层上形成透明保护层,对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和N型半导体台面;在电极通孔内形成P电极和N电极。实施本发明,可以实现倒装LED芯片的光效提升。

来源:金融界


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