基本半导体申请半导体功率模块散热基板及其制备方法专利，降低热阻提高热传导效率

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，基本半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种半导体功率模块的散热基板及其制备方法”的专利，公开号CN 118919500 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体功率模块的散热基板及其制备方法。本发明提供的半导体功率模块的散热基板，包括铜电路层、第一焊料层、绝缘陶瓷材料层、第二焊料层以及散热器层；所述铜电路层用于与所述半导体功率模块内部的芯片连接，通过所述第一焊料层将所述铜电路层与所述绝缘陶瓷材料层的第一面连接，通过所述第二焊料层将所述绝缘陶瓷材料层的第二面与所述散热器层连接。本发明的半导体功率模块的散热基板，可以减少散热基板散热传导路径的层级，从而降低热阻，提高热传导效率。

来源：金融界