华天科技（昆山）申请改善释放层耐化性的封装结构及方法专利，显著提高释放层耐化性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华天科技（昆山）电子有限公司申请一项名为“一种改善释放层耐化性的封装结构及封装方法”的专利，公开号CN 118919497 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开一种改善释放层耐化性的封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：在临时载片上制备释放层；将临时载片边缘的释放层移除，留出释放层空白区域，释放层空白区域在晶圆无效区域范围内；在释放层上制备钝化层，钝化层覆盖释放层和释放层空白区域，释放层与空气隔绝；在钝化层上构建重布线层；将集成电路晶粒安置在重布线层上并进行塑封，形成重组晶圆；对重组晶圆进行环切，切除临时载片边缘的封装体；剥离临时载片。本发明通过钝化层覆盖释放层和释放层空白区域，使释放层与外界隔绝，避免了释放层与化学试剂接触的可能性，显著提高了释放层的耐化性，有效保证了封装体的完成，解决了因释放层耐化性不足而造成重布线层不完整的缺陷。

来源：金融界