金融界 2024 年 10 月 30 日消息,国家知识产权局信息显示,广德特旺光电材料有限公司申请一项名为“一种铝含量低的 SiO 粉体的生产方法”的专利,公开号 CN 118833826 A,申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示,本发明公开了一种铝含量低的 SiO 粉体的生产方法,包括:将工业级硅粉进行预处理;将预处理后的硅粉与工业级二氧化硅粉体加入球磨机中球磨,得到球磨混合料;将球磨混合料浸泡在盐酸溶液中,先在常温下进行超声处理,然后进行微波处理,得到预处理混合料;向预处理混合料中加入去离子水捏合,然后压块,烘干,得到坯体;将坯体在真空条件下加热反应,然后冷凝,收集沉积物,即得 SiO 粉体。本发明的生产方法得到的 SiO 粉体具有铝含量极低的特点,有利于改善锂离子电池硅碳负极材料的电性能。
来源:金融界