创飞芯源申请沟槽型 MOSFET 器件及制备方法等专利，能够降低沟槽型 MOSFET 的外延区电阻

金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“沟槽型 MOSFET 器件及制备方法、电子设备及制备方法”的专利，公开号 CN 118919559 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本申请提供一种沟槽型 MOSFET 器件及制备方法、电子设备及制备方法，所述沟槽型 MOSFET 器件，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，所述外延层在所述衬底上生长，且具有所述第一导电类型；多个第一沟槽，形成于所述外延层中，所述多个第一沟槽等间距排列且所述多个第一沟槽的宽度相同；栅极氧化层，形成在所述多个第一沟槽内，从而能够降低沟槽型 MOSFET 的外延区电阻，提高击穿电压，同时简化生产工艺，降低成本。

来源：金融界