华润微电子（重庆）有限公司申请一种HEMT器件及其制备方法专利，实现器件隔离的同时简化了工艺步骤，降低了成本

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华润微电子（重庆）有限公司申请一项名为“一种HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118919550 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括半导体结构、环形隔离层、帽层、源极、漏极、栅极及隔离电极，其中，半导体结构包括依次层叠的衬底、沟道层及势垒层，环形隔离层位于势垒层的上表面，且环形隔离层环绕的区域作为主体器件区；帽层位于主体器件区中势垒层的上表面且与环形隔离层间隔预设距离；源极及漏极均与主体器件区的势垒层电连接，帽层位于源极与漏极之间并与源极和漏极间隔预设距离；栅极位于帽层的上表面并与帽层电连接，隔离电极位于环形隔离层的上表面并与环形隔离层电连接。本发明通过设置与帽层同步形成的环形隔离层来定义主体器件区，实现器件隔离的同时简化了工艺步骤，降低了成本。

来源：金融界