格兰菲申请半导体器件及其制备方法、电子设备专利，避免功率器件生产良率降低

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN 118919560 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备，包括：衬底；第一阱区，位于衬底内；两个埋入式沟槽栅极结构，沿第一方向间隔排布于衬底内，每个埋入式沟槽栅极结构包括沟槽栅极以及覆盖沟槽栅极顶面的绝缘结构，每个埋入式沟槽栅极结构沿垂直衬底的方向贯穿并延伸至第一阱区的下方；第二阱区，位于衬底内及两个埋入式沟槽栅极结构之间，第二阱区的底面低于绝缘结构的底面且高于第一阱区的底面，第二阱区与第一阱区的导电类型不同；导电插塞，位于第二阱区内。至少能够避免重复沟槽内的导电插塞明显偏离两个埋入式沟槽栅极结构的中间位置的问题，从而避免功率器件的参数失效，进而造成功率器件生产的均匀性变差，良率降低等问题。

来源：金融界