上海矽印科技申请CMOS图像传感器及其制备方法专利，提高CMOS图像传感器的工作稳定性和使用寿命

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海矽印科技有限公司申请一项名为“一种CMOS图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN 118919544 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制备方法，该CMOS图像传感器包括多个图像采集电路，图像采集电路包括外延片以及位于外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元复位单元、跟随单元和行选单元；外延片包括衬底基板和外延层；转移单元包括转移晶体管，转移晶体管包括第一电极层、第二电极层、控制电极和有源层；浮置扩散节点与第二电极层电连接；第一电极层位于外延片的一侧表面，有源层至少位于第一电极层背离外延片的一侧表面，第二电极层位于有源层背离外延片一侧的至少部分表面，控制电极至少部分覆盖有源层的侧壁。本发明提供的技术方案，可以提高转移晶体管的工作可靠性，进而提高CMOS图像传感器的工作稳定性和使用寿命。

来源：金融界