格恩半导体申请具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件专利，提升热态下量子阱与 p 型半导体的界面带阶

金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件”的专利，公开号 CN 118919617 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n 型半导体、有源层和 p 型半导体，所述 n 型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层，所述热态冷态比例调控层具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势。本发明能够提升热态下量子阱与 p 型半导体的界面带阶，增强量子阱的电子空穴的限域效应，减少热态下的电子溢流至 p 型半导体，同时，降低热态下量子阱与 p 型半导体界面的空穴势垒，提升空穴注入效率，改善热态下的空穴注入不足问题。

来源：金融界