华虹半导体申请数字隔离器及其制备方法、集成器件专利，提高了芯片整体集成度

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“数字隔离器及其制备方法、集成器件”的专利，公开号 CN 118919522 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本申请提供一种数字隔离器及其制备方法、集成器件，其中在数字隔离器的制备方法中，使用制备逻辑电路区的中间金属层用到的铜金属层充当隔离区的数字隔离器的金属下极板，即，使用铜金属层替代传统铜制程工艺中的 TiN 层下极板，在制备逻辑电路区的中间金属层的同时，利用形成有隔离区下极板图形的光罩刻蚀铜金属层得到数字隔离器的金属下极板，提高了芯片整体集成度，避免了传统铜制程工艺制备数字隔离器过程中，因制备 TiN 层下极板额外增加多个步骤导致工艺步骤繁琐以及成本增加的情况，简化了制造工艺，降低了制造成本。

来源：金融界