臻驱科技申请功率半导体模块衬底及功率半导体模块专利，提高功率半导体模块性能

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，臻驱科技（上海）有限公司申请一项名为“一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块”的专利，公开号CN 118919530 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明提供了一种功率半导体模块衬底和功率半导体模块，包括沿第一方向设置的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层，其侧边至少部分相邻，第一辅助功率金属敷层设于第一功率金属敷层、第二功率金属敷层之间，且与第一功率金属敷层、第二功率金属敷层相邻。第一功率金属敷层、第二功率金属敷层贯穿功率半导体模块衬底的第二方向，第二方向与第一方向垂直。功率端子设于模块衬底的上侧，信号端子设于模块衬底的下侧；AC端子与第一辅助功率金属敷层连接，DC正极端子与第二功率金属敷层连接，DC负极端子与第辅助功率金属敷层连接第功率金属敷层第二功率金属敷层上分别设有至少两个功率半导体芯片，功率半导体芯片包括IGBT芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片。

来源：金融界