上海集成电路研发中心取得外延工艺装置专利，解决现有装置对硅片边缘区域薄膜生长厚度难以精准调控的问题
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司取得一项名为“外延工艺装置”的专利，授权公告号 CN 222226647 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种外延工艺装置，包括封闭式反应腔室、与所述封闭式反应腔室的内壁连接的补光灯组、以及依次设置于所述补光灯组下方的承载基座和基座支撑件，所述补光灯组用于为所述承载基座上的硅片边缘区域提供温差补偿。本实用新型解决了现有装置对硅片边缘区域的薄膜生长厚度难以进行精准调控的问题。
来源：金融界
