LLM工程师手册——评估大语言模型

作者：数据智能老司机发布时间：2024-11-14

LLM 评估是评估大型语言模型性能和能力的关键过程。评估可以采取多种形式，例如选择题回答、开放式指令以及来自真实用户的反馈。目前，还没有统一的方法来衡量模型的表现，但我们可以根据特定的使用场景来调整已...【查看原文】

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学习代找 2024-05-20

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湖南虹安微电子申请屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件专利，降低器件导通阻抗

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南虹安微电子有限责任公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件”的专利，公开号CN118919571A，申请日期为2024年9月。

金融界 2024-11-11

湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“功率器件”的专利，公开号CN118919575A，申请日期为2024年9月。

金融界 2024-11-11

厦门士兰明镓申请种 VDMOS 器件及其制备方法专利，实现器件功能优化

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请一项名为“种VDMOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN118919565A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

杭州谱析光晶半导体科技申请一种具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件专利，增加电场缓冲高效性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件”的专利，公开号CN118919570A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

苏州德信申请复合栅结构 MOSFET 器件及其制备方法专利，能提高器件的栅耐压能力

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，苏州德信芯片科技有限公司申请一项名为“一种复合栅结构MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN118919569A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种复合栅结构MOSFET器件及其制备方法。

金融界 2024-11-11

杭州谱析光晶申请能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFET 结构专利，提高 MOS 半导体导通后的稳定性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的SiCVDMOSFET结构”的专利，公开号CN118919564A，申请日期为2024年7月。

金融界 2024-11-11

格兰菲申请半导体器件及其制备方法、电子设备专利，避免功率器件生产良率降低

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN118919560A，申请日期为2024年8月。

金融界 2024-11-11

华羿微电子申请抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电终端设计结构专利，有效提升分立器件正向耐压特性和可靠性

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“抑制中压SGTMOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用”的专利，公开号CN118919555A，申请日期为2024年10月。

金融界 2024-11-11

福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利，改善半导体器件的操作表现

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN118919563A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。

金融界 2024-11-11

创飞芯源申请沟槽型 MOSFET 器件及制备方法等专利，能够降低沟槽型 MOSFET 的外延区电阻

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法”的专利，公开号CN118919559A，申请日期为2024年7月。

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