浙江奥首申请铜蚀刻液专利，降低铜线路电阻值

金融界 2024 年 9 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种用于封装线路基板的铜蚀刻液及其制备方法与应用”的专利，公开号 CN 118704008 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于封装线路基板的铜蚀刻液及其制备方法与应用。所述的用于封装线路基板的铜蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：氧化剂 1‑10 份；无机酸 10‑20 份；缓蚀剂 0.05‑0.25 份；添加剂 0.05‑0.25 份；超纯水 50‑80 份。本发明采用的氧化剂具有杂环和二价铜离子，因此可以更好的吸附生成的氯化亚铜，再次把亚铜离子氧化成铜离子，让蚀刻速率稳定。由于缓蚀剂的引入，让蚀刻液对铜的蚀刻有各向异性，铜线路的电阻值降低，可靠性更高。添加剂可以与缓蚀剂协同，卤素离子在金属表面发生特性吸附,使金属表面带负电荷,有利于质子化的有机缓蚀剂分子在金属表面吸附,从而进一步提高了缓蚀剂的效果。

来源：金融界