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ChatGPT呼唤高性能存储芯片 HBM为新一代DRAM解决方案

作者:潘益兵发布时间:2023-04-07

原标题:ChatGPT呼唤高性能存储芯片 HBM为新一代DRAM解决方案

据媒体报道,2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加,价格也水涨船高,据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。HBM(高带宽内存)是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片技术,大幅提升数据处理速度,ChatGPT发展带动第三代HBM报价大涨。

AI应用快速放量之下,AI服务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍,拉动DRAM需求大幅增长。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈,被视为新一代DRAM解决方案。以HBM为主要代表的存算一体芯片能够通过2.5D/3D堆叠,将多个存储芯片与处理器芯片封装在一起,克服单一封装内带宽的限制、增加带宽、扩展内存容量、并减少数据存储的延迟。AI对话程序在执行计算期间需要大容量、高速的存储支持,预计AI芯片发展也将会进一步扩大高性能存储芯片(HBM)需求。根据TrendForce集邦咨询,2023-2025年HBM市场CAGR有望成长至40-45%以上,至2025年市场规模有望达25亿美元,市场需求快速提升。从长远来看,随着AI聊天机器人服务的扩展,对用于CPU的128GB或更大容量的高性能HBM和高容量服务器DRAM的需求预计会增加。

国芯科技(688262)目前正在研究规划合封多HBM内存的2.5D的芯片封装技术,积极推进Chiplet技术的研发和应用,作为HBM核心标的,公司在AI快速发展需求下估值将受益提升。通富微电(002156)2.5D/3D生产线建成后,将实现国内在HBM(高带宽内存)高性能封装技术领域的突破。


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