ChatGPT呼唤高性能存储芯片 HBM为新一代DRAM解决方案

原标题：ChatGPT呼唤高性能存储芯片 HBM为新一代DRAM解决方案

据媒体报道，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。HBM（高带宽内存）是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片技术，大幅提升数据处理速度，ChatGPT发展带动第三代HBM报价大涨。

AI应用快速放量之下，AI服务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍，拉动DRAM需求大幅增长。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案。以HBM为主要代表的存算一体芯片能够通过2.5D/3D堆叠，将多个存储芯片与处理器芯片封装在一起，克服单一封装内带宽的限制、增加带宽、扩展内存容量、并减少数据存储的延迟。AI对话程序在执行计算期间需要大容量、高速的存储支持，预计AI芯片发展也将会进一步扩大高性能存储芯片（HBM）需求。根据TrendForce集邦咨询，2023-2025年HBM市场CAGR有望成长至40-45%以上，至2025年市场规模有望达25亿美元，市场需求快速提升。从长远来看，随着AI聊天机器人服务的扩展，对用于CPU的128GB或更大容量的高性能HBM和高容量服务器DRAM的需求预计会增加。

国芯科技（688262）目前正在研究规划合封多HBM内存的2.5D的芯片封装技术，积极推进Chiplet技术的研发和应用，作为HBM核心标的，公司在AI快速发展需求下估值将受益提升。通富微电（002156）2.5D/3D生产线建成后，将实现国内在HBM（高带宽内存）高性能封装技术领域的突破。