原标题:重庆人工智能创新中心正式投用
重庆人工智能创新中心正式投用
【重庆人工智能创新中心正式投用】《科创板日报》14日讯,重庆人工智能创新中心正式投入使用。据了解,重庆人工智能创新中心是“东数西算”国家一体化大数据中心成渝枢纽节点的样板工程。创新中心布局的AI集群总算力,最高可相当于50万台PC的计算能力,不仅能为科学研究和商业创新等提供人工智能领域智能计算产品、垂直行业解决方案、算力中心运营服务的软硬一体化融合产品,还将赋能重庆加快推进“东数西算”战略实施,为人工智能产业科技创新、产业培育、人才培养、低碳发展注入新动能。
重庆人工智能创新中心,位于西部(重庆)科学城核心区西永微电园,由重庆高新区管委会联合华为建设,定位为重庆市人工智能公共算力服务平台,将打造成为“东数西算”国家一体化大数据中心成渝枢纽节点的样板工程。随着大模型…
华为人工智能
川渝本地消息 2023-09-06
作为2023智博会重磅论坛之一,以“践实成势渝见未来”为主题的“2023年中国人工智能产业创新论坛暨华为重庆数字峰会”于9月5日上午在西部科学城重庆高新区举办。人工智能是国家战略部署重点发展的先导产业。
人工智能华为
上游新闻 2023-09-05
中新网重庆9月5日电(梁钦卿)5日在重庆高新区举行的“2023年中国人工智能产业创新论坛暨华为重庆数字峰会”上,重庆人工智能创新中心正式投用。为积极响应“东数西算”重大工程,重庆人工智能创新中心联合四川成都、陕西西安、云南昆明各算力设施运营单位,达成算力跨区域合作,四方将建立全面长期战略合作关系,实现西部地区高性能算力的高效互联与调度。
中国新闻网 2023-09-05
1月10日,记者从西部(重庆)科学城获悉,作为“东数西算”国家一体化大数据中心成渝枢纽节点的样板工程,重庆人工智能创新中心于日前揭牌并上线试运行,上线使用率近85%。据介绍,该中心由西部(重庆)科学城统筹规划,定位为服务全市的专业化人工智能创新公共服务平台。
人工智能
国际在线 2023-01-11
华为作为国内最早布局大模型的云服务商之一,一方面,深耕算力,打造强有力的算力底座来支撑中国的人工智能事业发展;另一方面,从通用大模型到行业大模型,真正实现人工智能服务好千行百业、服务好科学研究。
上游新闻 2023-08-04
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,洛阳建龙微纳新材料股份有限公司申请一项名为“一种含金属阳离子的RHO型结构分子筛及其合成方法和应用”的专利,公开号CN119176566A,申请日期为2024年11月。
金融界 2024-12-25
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,芜湖天泽金属制品有限公司取得一项名为“冲孔铝管成型设备”的专利,授权公告号CN222198573U,申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种SAPO-11分子筛及其合成方法与应用”的专利,公开号CN119176568A,申请日期为2023年6月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,山西和创鑫机械设备有限公司取得一项名为“一种焊接件加工用防堵冲孔模具”的专利,授权公告号CN222198580U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型涉及焊接件加工技术领域,尤其涉及一种焊接件加工用防堵冲孔模具。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,扬州宇新管业有限公司取得一项名为“一种具备防护结构的管件用连续冲孔装置”的专利,授权公告号CN222198572U,申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,文成县昌泰电力有限责任公司申请一项名为“一种利用配体竞争配位调控多金属基普鲁士蓝类似物的晶体形貌的方法”的专利,公开号CN119176571A,申请日期为2024年8月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,天津锐升机械有限公司取得一项名为“一种轮毂加工间歇打孔装置”的专利,授权公告号CN222198575U,申请日期为2024年4月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,大连海得仪器有限公司取得一项名为“一种具有物料推送结构的冲孔机”的专利,授权公告号CN222198577U,申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,山东途顺数控设备有限公司取得一项名为“断桥铝滚压复合机”的专利,授权公告号CN222198582U,申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月25日消息,国家知识产权局信息显示,广州建丰稀土有限公司申请一项名为“一种大比表面积电子级氧化镝的制备方法”的专利,公开号CN119176578A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及电子级氧化镝技术领域,具体为一种细粒度大比表面积电子级氧化镝的制备方法。
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