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12月15日，英特尔在北京举办新品发布会。《每日经济新闻》记者在发布会现场获悉，此次英特尔推出的英特尔®酷睿™Ultra处理器系列采用了新的Intel4制程工艺；第五代英特尔®至强®可扩展处理器也一同发布。自去年年底ChatGPT发布以来，大语言模型技术支持下的AIGC应用获得了极大的发展。
英伟达AI芯片AIGCChatGPT大语言模型
每日经济新闻 2023-12-15
如今，大模型、生成式AI发展迅猛，智能算力市场呈快速增长趋势。随着AI技术不断进步，大模型和生成式AI的应用范围越来越广泛，比如自然语言处理、图像识别、语音识别等多个领域需要大量的计算资源和高效的算法支持，因此智能芯片市场前景非常广阔。就在前不久，英特尔在北京以“AI无处不在 创芯无所不及”为主题举办了一场新品发布会，推出英特尔酷睿Ultra 和第五代英特尔至强可扩展处理器，丰富英特尔AI产品线的同时，也加速AI 惠及千行百业，开启全民 AI 时代。英特尔市场营销集团副总裁兼中国区总经理王稚聪表示：“AI
生成式AI
科技视讯 2023-12-19
钛媒体App9月20日消息，英特尔表示，将于12月推出一款新型芯片，这款芯片能够在笔记本电脑上运行生成式人工智能(AI)聊天机器人，不必使用到云数据中心的计算能力。英特尔在硅谷举行的软件开发者大会上展示这一功能，它可以让企业和消费者在不必送出电脑中的敏感数据的情况下，测试类似ChatGPT的技术。
人工智能ChatGPT
钛媒体快报 2023-09-20
鞭牛士报道，3月26日消息，据外电报道，美国各大科技公司正试图消除帮助英伟达主导人工智能市场的软件优势。据路透社报道，由英特尔、谷歌、Arm、高通、三星和其他科技公司组成的一个小组正在开发一款开源软件套件，该套件可以防止人工智能开发人员被锁定到英伟达的专有技术，从而允许他们的代码在任何机器上运行和任何芯片。
英伟达谷歌人工智能
鞭牛士 2024-03-26
【头部财经】据报道，英特尔在2022年和2023年分别举行了两场发布会，推出了一款名为Gaudi2的AI芯片。Gaudi2的发布有两个主要原因。首先，这是英特尔在当前国际形势下的合规之举。其次，随着生
AI芯片生成式AI
大力财经 2023-07-14
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，广东芬尼克兹节能设备有限公司申请一项名为“泳池水温控制方法、系统、装置及存储介质”的专利，公开号CN119179352A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及温度控制技术领域，公开了一种泳池水温控制方法、系统、装置及存储介质，用于有效均衡水温分布。
金融界 2024-12-26
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，杭州晶华微电子股份有限公司申请一项名为“带隙基准电压的输出判断电路、装置以及电子设备”的专利，公开号CN119179363A，申请日期为2024年11月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，苏州元脑智能科技有限公司申请一项名为“动态电压调节装置、方法及计算机设备”的专利，公开号CN119179361A，申请日期为2024年9月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳和而泰智能控制股份有限公司申请一项名为“一种液体温度控制方法、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN119179351A，申请日期为2024年8月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，广德方晟科技有限公司取得一项名为“一种覆铜板的切割装置”的专利，授权公告号CN222200654U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市纳芯威科技有限公司申请一项名为“LDO电路和电源集成电路”的专利，公开号CN119179365A，申请日期为2024年11月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，湖南趣智新视觉广告有限公司取得一项名为“一种广告板的裁切装置”的专利，授权公告号CN222200652U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，陕西孚兰包装材料有限公司取得一项名为“一种打包带生产裁边设备”的专利，授权公告号CN222200645U，申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，安徽润安信科检测科技有限公司取得一项名为“一种色谱柱切割定位装置”的专利，授权公告号CN222200655U，申请日期为2024年4月。
金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，辽宁博芯科半导体材料有限公司申请一项名为“应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法”的专利，公开号CN119179354A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种应用于光电半导体硅片的退火温度控制方法。
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