为ChatGPT提供更合适的Prompt输入，我们就能得到更优质的结果。本文章主要聚焦于：编写 Prompt 的原则。...【查看原文】
这篇文章继续聊一聊：如何通过持续迭代Prompt来获得更优质、更符合预期的ChatGPT结果。并通过一个产品营销文案生成的案例来详细说明。
提示词ChatGPT
熙春茶 2023-05-13
Prompt learning 教学[技巧篇]：通过增加示例、引导词、特殊符号指令等方式让chatgpt输出更好的答案技巧1：To Do and Not To Do在问答场景里，为了让 AI 回答更加准确，一般会在问题里加条件。比如让 AI 推荐一部电影给你 Recommend a movie to me 。但这个 prompt 太空泛了，AI 无法直接回答，接着它会问你想要什么类型的电影，但这样你就需要跟 AI 聊很多轮，效率比较低。所以，为了提高效率，一般会在 prompt 里看到类似这样的话（意思是
汀丶人工智能 2023-05-27
1.吐槽智能的背后可能是一堆的人工。这不是段子。以前我在一家做智能短信的公司工作过，现在绝大部分的手机厂商都用上了这个智能短信了。怎么理解这个智能短信呢？就比如你收到软件登录验证码的短信的时候，可以直接提取短信验证码。你买了一个机票的时候，收到航司发来的购买成功的短信，会把短信内容直接转换成卡片形式，你能一眼看出你从哪里飞到哪里，几点飞等等。总的来说，就是把各种不同类型的短信卡片化，让用户可以直接看到关键性的信息，直接提取关键性信息和便捷的操作。但是由于市场上有太多的短信模版了，每家企业有不同的短信模版，
ChatGPT提示词
考研保研直通车 2023-07-10
Prompt learning 教学[技巧篇]：通过增加示例、引导词、特殊符号指令等方式让chatgpt输出更好的答案 技巧1：To Do and Not To Do 在问答场景里，为了让 AI 回答
汀丶人工智能 2023-05-13
在当今数字化时代，大型语言模型（LLM），例如众所周知的 ChatGPT，已经成为我们日常生活和专业工作中不可或缺的一部分。这些模型的强大能力使它们能够回答我们的问题、协助我们撰写文章，甚至帮助我们解
ChatGPT提示词大语言模型
写bug写bug 2024-03-28
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，广州智品汇电子科技有限公司取得一项名为“一种电子膨胀阀寿命测试装置”的专利，授权公告号CN221976445U，申请日期为2024年4月。
金融界 2024-11-11
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，杭州杭氧透平机械有限公司取得一项名为“一种用于叶轮进行超速试验的辅助工装”的专利，授权公告号CN221976436U，申请日期为2024年3月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门云天半导体科技有限公司申请一项名为“一种实现局部高密度互连的半导体封装结构及其制造方法”的专利，公开号CN118919517A，申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“数字隔离器及其制备方法、集成器件”的专利，公开号CN118919522A，申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，西安航天信控科技有限公司取得一项名为“一种精密减速器反驱力矩测试工装”的专利，授权公告号CN221976447U，申请日期为2023年12月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，鹏睿检测技术（上海）有限公司取得一项名为“一种多工位车窗按键测试装置”的专利，授权公告号CN221976442U，申请日期为2024年4月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，苏州轩迪液压科技有限公司取得一项名为“一种液压阀阀口压力测量装置”的专利，授权公告号CN221976444U，申请日期为2024年2月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司和珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN118919521A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，昆山麦沄显示技术有限公司申请一项名为“一种集成microIC的像素芯片结构、制作方法及驱动电路”的专利，公开号CN118919525A，申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、半导体结构的裂片方法”的专利，公开号CN118919519A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体结构的裂片方法。
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