三星HBM3E传通过英伟达认证，存储器三巨头到齐

导读：8月7日路透社消息，三星电子的第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已经通过英伟达测试，可用于英伟达的AI处理器上。

继SK海力士与美光以后，三星电子开发的第五代高带宽存储器（HBM3E），据传终于也通过英伟达的认证测试，将使用在英伟达的人工智能（AI）处理器当中。

取得这一资格，为三星电子扫清一个重大障碍。在供应能够处理生成式AI任务的高端内存方面，三星一直在努力追赶韩国同行SK海力士。

此外消息人士称，三星电子和英伟达尚未签署已获批准的8层HBM3E芯片的供应协议，但将很快签署，并预计供应将于2024年第四季度开始。

不过这家韩国科技巨头的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试。三星电子和英伟达均拒绝置评。

图:英伟达

HBM是一种动态随机存取存储或DRAM标准，于2013年首次推出，其中的芯片采用垂直堆叠方式，以节省空间并降低功耗。HBM是AI图形处理单元 (GPU) 的关键组件，可帮助处理复杂应用程序产生的大量数据。

研究公司TrendForce表示，HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中在下半年。SK海力士估计，到2027年HBM内存芯片的总体需求可能以每年82%的速度增长。

三星7月份预测，到第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%，许多分析师表示，如果其最新的HBM芯片能在第三季度前通过英伟达的最终批准，这一目标就可以实现。

三星并未公布具体芯片产品的收入明细。根据对15位分析师的调查显示，今年上半年三星DRAM芯片总收入预计为22.5万亿韩元（约合164亿美元），部分分析师表示其中约10%可能来自HBM销售。