什么是提示工程？ 提示工程，就是创建一堆指令，提示（询问、指导）ChatGPT 这类语言模型输出语料文本。提示工程帮助用户控制语言模型输出，生成适合的特定需求。 提示公式（prompt formula...【查看原文】
前言 Prompt Engineering 在AIGC（AIGenerated Content）的上下文中，prompt起到至关重要的作用。
提示词AIGC
ace1232 2024-05-22
最近一直在使用 Chatgpt，所以也想学习一些高级用法，所以找了关于 Prompt Engineering 的学习材料。这些提示词、句大体包含了以下几个使用场景，常用场景包括：回答问题 基于示例的回答推理 写代码 改写内容信息解释 信息总结 信息提取等以及几个高级用法：Zero-Shot Prompts：零样本提示，这种提示能激发推理，甚至提高算术结果，这是AI语言模型有时难以做到的。零样本学习指的是模型能够对属于训练数据中不存在的类的新的、未见过的示例进行分类。Few-Shot Prompting：少
ChatGPT编程提示词
可来电 2023-04-12
When I've been building applications with large language models, I don't think I've ever come to the prompt that I ended up using in the final application on my first attempt. And this isn't what matters.当我一直在使用大型语言模型构建应用程序时，我认为我从来没有遇到过我在第一次尝试时最终在最终应用程序中使
ChatGPT提示词大语言模型
诗人的朦胧诗 2023-05-06
大家好，我是元壤教育的张涛，一名知识博主，专注于生成式人工智能（AIGC）各领域的研究与实践。我喜欢用简单的方法，帮助大家轻松掌握AIGC应用技术。我的愿景是通过我的文章和教程，帮助1000万人学好A
提示词人工智能教育AIGC
元壤AI教育张涛 2024-06-04
Prompt工程师指南[应用篇]：Prompt应用、ChatGPT|Midjouney Prompt Engineering 1.ChatGPT Prompt Engineering 主题： 与 Ch
提示词ChatGPT
汀丶人工智能 2023-05-15
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，东莞市元航精密电子科技有限公司取得一项名为“一种半导体引线框架”的专利，授权公告号CN222214171U，申请日期为2024年1月。
金融界 2024-12-28
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，阜宁协鑫集成科技有限公司取得一项名为“一种返修电池串弧预防与整理装置”的专利，授权公告号CN222214198U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型涉及光伏组件生产技术领域，且公开了一种返修电池串弧预防与整理装置。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，南通晶天新能源科技有限公司取得一项名为“一种微结构棱镜间隙转光膜”的专利，授权公告号CN222214190U，申请日期为2024年4月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，芯探（上海）科技有限公司取得一项名为“一种芯片抗干扰结构”的专利，授权公告号CN222214186U，申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，天津州杰科技发展有限公司取得一项名为“一种COB显示屏的封胶结构”的专利，授权公告号CN222214176U，申请日期为2024年5月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，固德威电源科技（广德）有限公司取得一项名为“一种轻质光伏系统”的专利，授权公告号CN222214189U，申请日期为2023年12月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司取得一项名为“一种无主栅太阳能电池片激光诱导烧结装置”的专利，授权公告号CN222214195U，申请日期为2024年1月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，常州时创能源股份有限公司取得一项名为“一种背接触叠栅结构电池片及电池”的专利，授权公告号CN222214187U，申请日期为2024年1月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建华佳彩有限公司取得一项名为“种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板”的专利，授权公告号CN222214179U，申请日期为2023年2月。
金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种低阻平面栅碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号CN222214181U，申请日期为2024年3月。
Copyright © 2026 aigcdaily.cn 北京智识时代科技有限公司 版权所有 京ICP备2023006237号-1
