新华社北京1月5日电全国政协“委员科学讲堂”5日在京举办科普讲座,全国政协副主席沈跃跃、王勇、陈武、朱永新、杨震出席。全国政协委员、北京通用人工智能研究院院长朱松纯以“为机器立心——迈向通用人工智能”为题作讲座,从通用人工智能的基本特征出发,结合人工智能在中国的发展,阐述对推动原创性、引领性科技创新的思考等。...【查看原文】
人工智能技术持续突破,与之相应的AI应用伦理等问题,日益成为社会关注热点。全国政协委员、致公党上海市委专职副主委邵志清提出,要针对区块链技术、AI应用伦理和算法的安全性等,加强规则的制定,强化一致性监
ChatGPT人工智能
上观新闻 2023-03-09
钛媒体App3月5日消息,“今年的政府工作报告提到‘人工智能+’行动,作为从业者我感到非常激动和兴奋。”全国政协委员、360集团创始人周鸿祎表示,“人工智能+”上升为一种行动,意味着国家将加强顶层设计,加快形成以人工智能为引擎的新质生产力。作为人工智能行业的创新创业者,更加责无旁贷,特别是在“人工智能+安全”的方向上将继续深耕。
人工智能
钛媒体快报 2024-03-05
3月5日,全国政协委员、知名演员靳东受访谈人工智能对影视行业的影响。他称,人工智能系统感觉对影视行业影响挺大,一些服务型的岗位可能会被替代,但短时间内,人工智能很难替代影视等创作行业,“因为影视、文学作品更多是精神上的内容”。
新京报 2024-03-05
今年两会,全国政协委员张勤带来《关于推动人工智能赋能中华优秀传统文化传播的提案》。当前,全球人工智能新技术、新产品加速涌现。一方面,文生图、文生视频等一系列新技术给各行各业带来发展的想象空间;另一方面,快速变化的形势也给中国大模型发展提出了挑战,使其面临“到底什么是中国自有的大模型”“如何在模型语料训练等层面体现中国特色”等一系列问题。
北京日报 2024-03-04
最近,美国人工智能企业OpenAI研发的聊天机器人程序ChatGPT“火”遍全球,人工智能再度引发行业热议。新当选的第十四届全国政协委员、民建四川省委副主委、西南财经大学大数据研究院院长寇纲在2月26日接受红星新闻记者采访时表示,今年参加全国两会,他带去的提案关注人工智能领域,建议大力发展自主创新的“人工智能通用基石模型”。
人工智能OpenAIChatGPT
红星新闻 2023-02-26
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市创飞芯源半导体有限公司申请一项名为“沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法”的专利,公开号CN118919559A,申请日期为2024年7月。
金融界 2024-11-11
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号CN118919563A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利,公开号CN118919560A,申请日期为2024年8月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,湖南虹安微电子有限责任公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件”的专利,公开号CN118919571A,申请日期为2024年9月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请一项名为“种VDMOS器件及其制备方法”的专利,公开号CN118919565A,申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,华羿微电子股份有限公司申请一项名为“抑制中压SGTMOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用”的专利,公开号CN118919555A,申请日期为2024年10月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法”的专利,公开号CN118919558A,申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,青岛北方星火机床有限公司取得一项名为“一种火车轮对综合制动性能实验平台”的专利,授权公告号CN221976472U,申请日期为2024年3月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件”的专利,公开号CN118919570A,申请日期为2024年7月。
金融界2024年11月11日消息,国家知识产权局信息显示,杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的SiCVDMOSFET结构”的专利,公开号CN118919564A,申请日期为2024年7月。
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