深圳瑞波光电子申请高功率隧道结级联半导体激光器巴条以及单管专利，降低在高功率输出下激光芯片慢轴发散角出现旁峰的风险

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳瑞波光电子有限公司申请一项名为“一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条以及单管”的专利，公开号 CN 118841824 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种高功率隧道结级联半导体激光器巴条及单管，该激光器巴条包括：第一型衬底；多个激光器单元，包括外延层、绝缘层和第二型欧姆接触电极，设于第一型衬底上沿第一方向排列相邻之间设有隔离槽，外延层包括多个发光单元、隧道结和设于发光单元上的第二型欧姆接触层；第二型欧姆接触层沿第一方向的宽度小于发光单元，第二型欧姆接触电极覆盖第二型欧姆接触层上的电流注入区，绝缘层覆盖除电流注入区以外的外延层表面。通过上述方式，在第二型欧姆接触层上制作台面，限制大脉冲电流横向扩展，以及特殊设计芯片表面介质膜结构，提高隔离槽内耐击穿电压的同时，降低在高功率输出下激光芯片慢轴发散角出现旁峰的风险，提高光束质量。

来源：金融界