山西中科潞安紫外光电申请倒装结构深紫外LED器件及其制备方法专利，提高外延结构AlN模板的发光效率

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请一项名为“一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119153605 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明属于深紫外LED器件技术领域，具体涉及一种倒装结构深紫外LED器件及其制备方法，制备方法包括：制备AlN模板层；制备HfO2‑MgF2周期结构层；生长GaN缓冲层；生长LED外延结构，并清洗LED外延结构表面；制备MESA台面；制备n接触电极和p接触电极，在n接触电极、p接触电极和LED外延结构表面制备钝化层；在n接触电极和p接触电极上方的钝化层上制备通孔，在通孔上面制备pad电极；使用化学机械研磨工艺减薄蓝宝石衬底。本发明通过在AlN模板上沉积多层不同折射率的介质材料，形成深紫外增透光学膜，提高量子阱产生光子直接射出的效率，以提高外延结构AlN模板的发光效率。本发明的方法不仅可以提高光的提取效率，还可以减少光的损失，从而提高器件的性能。

来源：金融界