KLV2002采用光耦合MOSFET技术,在输入和输出之间提供3750Vrms的隔离,以确保在高压环境下安全运行。其隔离屏障由输入侧的高效GaAlAs红外LED和输出侧的MOSFET组成,实现无电接触的信号传输。可靠的固态性能与机械继电器不同,KLV2002没有移动部件,因此可靠性更高、寿命更长。这种无电弧设计提高了耐用性并减少了维护需求,非常适合需要持续可靠性能的应用。低功耗要求KLV2002在设计时考虑了能源效率,兼容TTL/CMOS,并以低输入电流运行,使其适用于低功耗系统。 高电压和电流容量KLV...【查看原文】