每日论文16-23MWTL优化gm的65nmCMOS30ghz低相噪VCO
《30-GHz Low-Phase-Noise VCO With Negative Transconductance Optimization in 65-nm CMOS》23MWTL 这是一种增强交叉耦合管gm的方法。交叉耦合管的负阻理论上越大，摆幅越大，相噪越低。但是如果要大的负阻即跨导，那么就需要大尺寸，但是大尺寸会带来更大的寄生电容，影响FTR和降低fo。所以在使用同样尺寸的管子的情况下，我门希望用其他方法能够尽量增大目标频率贷款的gm。这篇论文整理了一个系列的增大gm方法，如下图： [图片] （...【查看原文】
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