京东方华灿光电申请提高发光效率的发光二极管及其制备方法专利，提高LED的发光效率

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“提高发光效率的发光二极管及其制备方法 ”的专利，公开号 CN 119153601 A，申请日期为 2024年7月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种提高发光效率的发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的 N 型半导体层、发光层、P 型半导体层、第一 P 型电流扩展层和 P 型窗口层，第一 P 型电流扩展层的掺杂浓度小于 P 型窗口层的掺杂浓度本公开实施例能提高载流子注入的均匀性，提高 LED 的发光效率。

来源：金融界